Membre de la famille VGaN IC, le nouveau VGaN 100 V (INV100FQ030A) proposé par Innoscience Technology peut être utilisé pour atteindre un rendement élevé dans les systèmes de gestion de batterie (BMS) 48 V ou 60 V, ainsi que pour les applications de commutation de charge côté haut dans les convertisseurs bidirectionnels, les circuits de commutation dans les systèmes électriques et d'autres domaines. Ce circuit est idéal pour des applications telles que les batteries domestiques, les stations de recharge portables, les scooters électriques, les vélos électriques, etc.

Un VGaN remplace deux MOSFET Si dos à dos ; ils sont connectés à un drain commun pour réaliser une commutation bidirectionnelle de la charge et de la décharge de la batterie, réduisant ainsi considérablement la résistance à l'état passant et les pertes par rapport à la solution traditionnelle au silicium. Le nombre de nomenclatures, l’espace PCB et les coûts sont également réduits en conséquence.

Le circuit intégré VGaN 100 V INV100FQ030A prend en charge les modes de fonctionnement à passage bidirectionnel, coupure bidirectionnelle et sans récupération inverse. Les appareils présentent une charge de grille extrêmement faible de seulement 90 nC, une résistance dynamique ultra faible de 3,2 mΩ et un petit boîtier de 4 x 6 mm.

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