 Circuit intégré GaN 100 V pour les applications de système de gestion de batterie 48 V/60 V Membre de la famille VGaN IC, le nouveau VGaN 100 V (INV100FQ030A) proposé par Innoscience Technology peut être utilisé pour atteindre un rendement élevé dans les systèmes de gestion de batterie (BMS) 48 V ou 60 V, ainsi que pour les applications de commutation de charge côté haut dans les convertisseurs bidirectionnels, les circuits de commutation dans les systèmes électriques et d'autres domaines. Ce circuit est idéal pour des applications telles que les batteries domestiques, les stations de recharge portables, les scooters électriques, les vélos électriques, etc. > lire la suite Innoscience Technology www.innoscience.com  Assurer la sécurité d’approvisionnement du GaN avec Innoscience Le nitrure de gallium (GaN) est désormais largement utilisé dans diverses applications où il offre des avantages en matière d'efficacité et de densité de puissance. Les ingénieurs ont réalisé que les performances de commutation supérieures du GaN conviennent à d'innombrables applications, et ils ont de plus en plus confiance dans la capacité de fournisseurs comme Innoscience à fournir une technologie éprouvée, des processus robustes et qualifiés, sans parler d'une capacité massive. > lire la suite Innoscience www.innoscience.com  Le premier transistor GaN au monde adapté aux téléphones portables
Innoscience Technology, entreprise fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) à la fois performantes et rentables, lance aujourd'hui le INN40W08, un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) GaN-on-Si bidirectionnel 40 V, destiné aux appareils mobiles, comme les ordinateurs et les téléphones portables. Le HEMT INN40W08 a été développé grâce à InnoGaN, une technologie de pointe de l'entreprise qui se caractérise par une résistance à l’état passant RDS(on) ultra-faible. > lire la suite Innoscience Technology www.innoscience.com |